Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (5)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Ilashchuk M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Ilashchuk M. I. 
Influence of Cr doping on optical and photoluminescent properties of CdTe [Електронний ресурс] / M. I. Ilashchuk, O. A. Parfenyuk, K. S. Ulyanytskiy, V. V. Brus, N. D. Vakhnyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 91-94 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_20
Spectra of transmission and low-temperature photoluminescence of CdTe:Cr crystals have been investigated for concentrations of the doping impurity (Cr) from <$E1~cdot~10 sup 17> to <$E4~cdot~10 sup 19~roman cm sup -3> in the melt. We have found additional absorption bands with maxima at <$E lambda sub 1~symbol Ы~1,9~mu roman m> and <$E lambda sub 2~symbol Ы~7,0~mu roman m> induced by the presence of this dopant. An additional band of radiative recombination in the vicinity of 1,22 eV is caused by electron transitions from the conduction band to the deep donor levels <$E E sub v~+~(0,36~-~0,38)> eV, which correspond to the Cr<^>1+ defect entering to clusters. We have also observed the shift of CdTe:Cr absorption edge to the longwave region. This shift is caused by strong lattice deformation near the Cr<^>2+ impurity position due to the static Jahn-Teller effect.
Попередній перегляд:   Завантажити - 316.408 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Brus V. V. 
A Solar Cell Based on a Heterojunction n-ТіО2/p-CdTe [Електронний ресурс] / V. V. Brus, M. I. Ilashchuk, Z. D. Kovalyuk, P. D. Maryanchuk, K. S. Ulyanytsky, B. M. Gritsyuk // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 2. - С. 478-481. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_2_35
Виготовлено фоточутливі гетеропереходи n-TiO2/p-CdTe шляхом нанесення за допомогою методу реактивного магнетронного розпилення за постійної напруги тонких плівок TiO2 n-типу провідності на свіжосколоті монокристалічні підкладки p-CdTe (110). Запропоновано методи формування омічних контактів до n-TiO2 і p-CdTe, а також досліджено їх електричні властивості. Сонячний елемент у випадку освітлення 100 мВт/см<^>2 володіє наступними фотоелектричними параметрами: напруга холостого ходу Voc = 0,69 В, струм короткого замикання Isc = 6 мА/см<^>2 і коефіцієнт заповнення FF = 0,42.
Попередній перегляд:   Завантажити - 177.527 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Orletskyi I. G. 
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe [Електронний ресурс] / I. G. Orletskyi, M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, M. M. Solovan, P. D. Maryanchuk, S. V. Nichyi // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 2. - С. 164-172. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_2_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 941.87 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Orlets’kyi I. G. 
Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures [Електронний ресурс] / I. G. Orlets’kyi, M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, H. P. Parkhomenko, P. D. Maryanchuk // Ukrainian journal of physics. - 2021. - Vol. 66, № 9. - С. 792-802. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2021_66_9_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.05 Mb    Зміст випуску     Цитування
5.

Koziarskyi I. P. 
Mechanisms of Current Generation in Graphene/p-CdTe Schottky Diodes [Електронний ресурс] / I. P. Koziarskyi, M. I. Ilashchuk, I. G. Orletskyi, L. A. Myroniuk, D. V. Myroniuk, E. V. Maistruk, D. P. Koziarskyi, V. V. Strelchuk // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 6. - С. 06001-1-06001-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_6_3
Діоди Шотткі графен/p-CdTe було одержано на підкладках p-CdTe розпиленням водних розчинів полівінілпіролідону (PVP, (C6H9NO)n), які містять частинки багатошарового графену, механічно відлущені з графіту. Діодні властивості одержаних поверхневих бар'єрних структур графен/p-CdTe визначалися енергетичним бар'єром <$Eq phi sub k ~=~0,8> еВ, який формується у приконтактній області p-CdTe. Проаналізовано температурну залежність ВАХ та встановлено динаміку зміни висоти бар'єру з температурою та основні механізми генерації струму в досліджуваних діодах під дією прямої та зворотної напруг. В області прямого зміщення при V << 0,2 В і зворотного зміщення при - (минус) 0,5 В << V через діод перебігають рекомбінаційно-генераційні струми. Зворотний струм зумовлений процесами генерації, а прямий - рекомбінації у збідненій на основні носії заряду області p-CdTe. За вищих, як прямих, так і зворотних напруг, формування струму відбувається за рахунок тунелювання носіїв заряду через потенціальний бар'єр електричного переходу.
Попередній перегляд:   Завантажити - 736.075 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського